電子陶瓷又稱電器陶瓷或在電子工業中能夠利用電、磁性質的陶瓷。電子陶瓷是通過對表面、晶界和尺寸結構的精密控制而最終獲得具有新功能的陶瓷。在能源、家用電器、汽車等方面可以廣泛應用。
在電子工業中能夠利用電、磁性質的陶瓷，稱為電子陶瓷。電子陶瓷是通過對表面、晶界和尺寸結構的精 電子陶瓷密控制而最終獲得具有新功能的陶瓷。在能源、家用電器、汽車等方面可以廣泛應用。
廣泛用于制作電子功能元件的、多數以氧化物為主成分的燒結體材料。電子陶瓷的制造工藝與傳統的陶瓷工藝大致相同。
電子陶瓷或稱電子工業用陶瓷，它在化學成分、微觀結構和機電性能上，均與一般的電力用陶瓷有著本質的區別。這些區別是電子工業對電子陶瓷所提出的一系列特殊技術要求而形成的，其中最重要的是須具有高的機械強度，耐高溫高濕，抗輻射，介質常數在很寬的范圍內變化，介質損耗角正切值小，電容量溫度系數可以調整（或電容量變化率可調整）．抗電強度和絕緣電阻值高，以及老化性能優異等。
電容器瓷
用作電容器介質的電子陶瓷。這類陶瓷用量最大、規格品種也最多。主要的有高頻、低頻電容器瓷和半導體電容器瓷。
高頻電容器瓷
屬于Ⅰ類電容器瓷，主要用于制造高頻電路中的高穩定性陶瓷電容器和溫度補償電容器。構成這類陶瓷的主要成分大多是堿土金屬或稀土金屬的鈦酸鹽和以鈦酸鹽為基的固溶體（表1）。
電子陶瓷
選用不同的陶瓷成分可以獲得不同介電常數、介質損耗角正切 tanδ和介電溫度系數αε的高頻電容器瓷料，用以滿足各種溫度補償的需要。表中的四鈦酸鋇瓷不僅是一種熱穩定性高的電容器介質，而且還是一種優良的微波介質材料。
低頻電容器瓷 屬于Ⅱ類電容器瓷，主要用于制造低頻電路中的旁路、隔直流和濾波用的陶瓷電容器。主要特點是介電常數ε 高，損耗角正切較大且tanδ及ε隨溫度的變化率較大。這類陶瓷中應用最多的是以鐵電鈦酸鋇(BaTiO3)為主成分,通過摻雜改性而得到的高ε(室溫下可達20000)和ε的溫度變化率低的瓷料。以平緩相變型鐵電體鈮鎂酸鉛 (PbMg1/3Nb2/3O3)等為主成分的低溫燒結型低頻獨石電容器瓷料，也是重要的低頻電容器瓷。
半導體電容器瓷 利用半導體化的陶瓷外表面或晶粒間的內表面(晶界)上形成的絕緣層為電容器介質的電子陶瓷。其中利用陶瓷晶界層的介電性質而制成的邊界層電容器是一類新型的高性能、高可靠的電容器，它的介電損耗小、絕緣電阻及工
電壓高。半導體電容器瓷主要有BaTiO3及SrTiO3兩大類。在以BaTiO3、SrTiO3或二者的固溶體為主晶相的陶瓷中,加入少量主摻雜物(如Dy2O3等)和其他添加物，在特殊的氣氛下燒成后，即可得到N型半導體陶瓷。然后,再在表面上涂覆一層氧化物漿料（如CuO等）,通過熱處理使氧化物向陶瓷的晶界擴散，最終在半導體的所有晶粒之間形成一絕緣層。這種陶瓷的視在介電常數極高（可達 105以上）、介質損耗小(小于1%)、體電阻率高（高于 1011歐·厘米）、介質色散頻率高(高于1吉赫)、抗潮性好,是一種高性能、高穩定的電容器介質。 鐵電陶瓷 以鐵電性晶體為主晶相的電子陶瓷。已發現的鐵電晶體不下千種，但作為鐵電陶瓷主晶相的主要有鈣鈦礦或準鈣鈦礦型的鐵電晶體或固溶體。 在一定的溫度范圍內晶體中存在著可隨外加電場而轉變方向的自發極化，這就是晶體的鐵電性。當溫度超過某一臨界值──居里溫度TC時，其極化強度下降為零，晶體即失去鐵電性，而成為一般的順電晶體；與此同時，晶體發生鐵電相到順電相的相變。鐵電體的極化強度還隨電場而劇烈變化（圖1）。
鐵電體的重要微觀特征是具有電疇結構，即鐵電體具有許多沿特定方向自發極化到飽和的小區域──電疇。這些取向不同的電疇以疇壁分開(圖2a)。在相當強的外電場作用下，這種多疇晶體可以被電場強迫取向而單疇化（圖2b）。這種電疇隨外電場而反轉取向的動力學過程，包括疇壁的運動過程以及新疇成核和成長的過程。
鐵電陶瓷
功能多、用途廣。利用其壓電特性可以制成壓電器件，這是鐵電陶瓷的主要應用，因而常把鐵電陶瓷稱為壓電陶瓷。利用鐵電陶瓷的熱釋電特性（在溫度變化時，因極化強度的變化而在鐵電體表面釋放電荷的效應）可以制成紅外探測器件，在測溫、控溫、遙測、遙感以至生物、醫學等領域均有重要應用價值。典型的熱釋電陶瓷有鈦酸鉛(PbTiO3)等。利用透明鐵電陶瓷PLZT(摻鑭的鈦鋯酸鉛)的強電光效應（通過外加電場對透明鐵電陶瓷電疇狀態的控制而改變其光學性質，從而表現出電控雙折射和電控光散射的效應），可以制成激光調制器、光電顯示器、光信息存儲器、光開關、光電傳感器、圖像存儲和顯示器，以及激光或核輻射防護鏡等新型器件。
半導體陶瓷
通過半導體化措施使陶瓷具有半導電性晶粒和絕緣性（或半導體性）晶界，從而呈現很強的界面勢壘等半導體特性的電子陶瓷。
陶瓷半導體化的方法主要有強制還原法和施主摻雜法（亦稱原子價控法）兩種。兩種方法都是在陶瓷的晶體中形成
子空位等缺陷，從而提供大量導電電子，使陶瓷中的晶粒成為某種類型(通常是 N型)的半導體。而這些晶粒之間的間層為絕緣層或另一類型（P 型）的半導體層。
半導體陶瓷種類很多，其中包括利用半導體瓷中晶粒本身性質制成的各種負溫度系數熱敏電阻；利用晶界性質制成的半導體電容器、ZnO 壓敏電阻器、BaTiO3系正溫度系數熱敏電阻器、CdS/Cu2S太陽能電池；以及利用表面性質制成的各種陶瓷型濕敏電阻器和氣敏電阻器等。表2列出典型的傳感器用半導體陶瓷。
CdS/Cu2S系光電陶瓷不同于上表所列的利用絕緣晶界層性質的半導體瓷,它所利用的是N型CdS與P型Cu2S晶界層之間的PN異質結的光伏效應。用它制成的陶瓷太陽能電池，可以作為無人值守臺站的電源，也可作為電子儀器中的光電耦合器件。
離子陶瓷
快離子導電的電子陶瓷。具有快速傳遞正離子的特性。典型代表是 β-Al2O3 瓷。這種陶瓷在300℃下離子電導率可達0.1/(歐·厘米)，可用來制作較經濟的高比率能量的固體電池，還可制作緩慢放電的高儲能密度的電容器。它是有助于解決能源問題的材料。
